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介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試

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產(chǎn)品概述

工頻介電常數(shù)測試儀采用測微計電極時，數(shù)量級是0.03的介質(zhì)損耗因數(shù)可測到真值的±0.000 3，數(shù)量級0.0002的介對于非常準(zhǔn)確的測量，在厚度的測量能達(dá)到足夠的晶度時，可采用試樣上不加電極的系統(tǒng)。對于相對電容率不都過10的管狀試樣，醉方便的電極是用金屬筋、汞或沉積金屬膜。相對電容率在10以上的管狀試樣，應(yīng)采用沉積金屬膜電極;燒管上可采用燒熔金屬電極。電極可像帶材一樣包覆在管狀試樣的全部圓周或部分氮周上。

對表面加有電極的試樣的電容，若采用測微計電極測量時，只要試樣直徑比測微計電極足夠小，則只需要進行概間法向電容的修正。采用其他的一些方法來測量網(wǎng)電極試樣時.邊緣電容和對地電容的計算將帶來一些誤差，因為它們的誤差都可達(dá)到試樣電容的2%～40%。根據(jù)目前有關(guān)這些電容資料，計算邊緣電容的誤差為10%，計算對地電容的誤差為25%。因此帶來總的誤差是百分之幾十到百分之幾。當(dāng)電極不接地時，對地電容誤差可大大減小，在弟5章和附錄A中所規(guī)定的晶度是;電容率晶度為±1%，介質(zhì)損耗因數(shù)的晶度為±（5%± 0.05》，這些晶度至少取決于三個因素;即電容和介質(zhì)損耗因數(shù)的實測晶度;所用電極裝置引起的這些量的校正晶度，極間法向直空電容的計靠晶度（見表 1），在較低頻率下，電容的測量晶度能達(dá)士（0.1%士0.02 pF），介質(zhì)損耗因數(shù)的測量晶度能達(dá)±（2%± 0.00 05）。在較高頻率下，其誤差增人，電容的測量晶度為±（0.5%±0.1 pF），介質(zhì)損耗因數(shù)的測量晶度為±（2%±0，0002）。

所示的試驗池也可用件電阻率的測定，IEC 60247，1978對此已詳細(xì)敘述.由于有些液體如氧化物，其介質(zhì)損耗因數(shù)與電授材料有明顯的關(guān)系，不銹鋼電吸不總是醉合適的。有時，用鋁和杜拉懈制成的電極儒得到比較穩(wěn)定的結(jié)果。滿足上述要求的試驗施見圖2～圖4。電極是不銹鋼的，用疆硅酸鹽玻璃或石英玻璃作絕緣。

對于帶有保護電極的試樣，其測量晶度只考慮慢間法向真空電容時有計算誤差。但由被保護電極和保護電極之間的間隙太寬而引起的誤差通常大到百分之零點幾，而校正只能計算到其本身值的百分之幾。如果試樣厚度的測量能晶確到±0.005 mm.則對平均厚度為1.6mm的試樣，其厚度測量誤差能達(dá)到自分之零點兒。圓形試樣的直徑能測定到±0.1%的晶度，但它是以平方的形式引人談差的，輦合這些因素，極間法向真空電容的測量誤差為±0.5%。

必要時應(yīng)對試樣的對地電容、開關(guān)觸頭之間的電容及等值串聯(lián)和并聯(lián)電容之間的差值進行校正。測微計電極間或不接觸電極間被測試樣的相對電容率可按表z，表3中相應(yīng)的公式計算得來，液體絕緣材料試驗池的設(shè)計對于低介質(zhì)損耗因數(shù)的待測液體.電概系控醉雷要的特點縣∶容易清洗、再裝配（必要時）和灌注波體時不移動電極的相對位置。此外還應(yīng)注意，液體需要量少，電極材料不影響液體，液體也不影響電慢材料，溫度易于控制，硼點和接線能適當(dāng)?shù)仄帘?支撐電極的地緣文架應(yīng)不浸沉在液體中，還有，試驗池不應(yīng)含有太短的爬電距離和尖銳的邊緣，否則能影響測量晶度介質(zhì)損耗因數(shù) tan6介質(zhì)損耗因數(shù) un》按照所用的測量裝置給定的公式，根據(jù)測出的數(shù)值來計算。

工頻介電常數(shù)測試儀BQS-37a(QS-37a)型高壓電橋是本公司推出的新一代高壓電橋，主要用于測量工業(yè)絕緣材料的介質(zhì)損耗(tgδ)及介電常數(shù)（ε）。符合GB1409、GB5654及GB/T1693, ASTM D150-1998(2004) 固體電絕緣材料的交流損耗特性及介電常數(shù)的試驗方法其采用了西林電橋的經(jīng)典線路，內(nèi)附0-2500的數(shù)顯高壓電源及100PF標(biāo)準(zhǔn)電容器，并可按用戶要求擴裝外接標(biāo)準(zhǔn)電容線路。

技術(shù)指標(biāo)測量范圍及誤差本電橋的環(huán)境溫度為20±5℃，相對濕度為30%-80%條件下，應(yīng)滿足下列表中的技術(shù)指示要求。在Cn=100 pF R4=3183.2（Ω）時測量項目測量范圍測量誤差電容量Cx 40pF—20000pF ±0.5% Cx±2pF介損損耗tgδ 0-1 ±1.5% tgδx±0.0001在Cn=100 pF R4=318.3（Ω）時測量項目測量范圍測量誤差電容量Cx 4pF—2000pF ±0.5% Cx±3pF介損損耗tgδ 0-0.1 ±1.5% tgδx±0.0001

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